Please use this identifier to cite or link to this item:https://hdl.handle.net/20.500.12259/81606
Type of publication: Straipsnis Clarivate Analytics Web of Science ar/ir Scopus / Article in Clarivate Analytics Web of Science or / and Scopus (S1)
Field of Science: Fizika / Physics (N002)
Author(s): Užupis, Arnoldas;Tyczkowski, Jacek;Gubiec, Kondrad;Tamulevičius, Sigitas;Andrulevičius, Mindaugas;Pucėta, Mindaugas
Title: Properties of GeXOY:H thin films produced by plasma-assisted chemical vapor deposition
Other Title: Plazminiu būdu (PCVD) nusodintų plonųjų GeXOY:H dangų savybės
Is part of: Materials science = Medžiagotyra / Kaunas University of Technology, Academy of Sciences of Lithuania. Kaunas : Technologija, 2009, Vol. 15, No. 1
Extent: p. 7-10
Date: 2009
Keywords: Germanium oxides;Residual stress;XPS;AFM
Abstract: Plonosios (0,2µm -1,2µm storio) amorfinio germanio oksido GexOy:H dangos buvo nusodintos iš tetrametilgermanio (PCVD metodu) cheminiuose plazmos garuose deguonies aplinkoje, esant 13,56 MHz radijo dažniui. Šios dangos pasižymi dideliu skaidriu (> 80% esant 300nm-800nm bangos ilgiui), todėl plačiai naudojamos optoelektronikoje. Šiame darbe nustatyta nusodinimo parametrų įtaka, gaminant labai skaidrias mažų įtempių plonąsias dangas. Dangų sudėtis buvo ištirta rentgeno spindulių fotoelektronų spektrometru, o paviršiaus morfologija – atominės jėgos mikroskopu. Plonųjų dangų GexOy:H storis buvo nustatytas optiniais matavimais. Ištirta GexOy:H dangų elementinės sudėties įtaka jų mechaninėms savybėms. Taip pat nustatyta, jog optinis draustinės juostos plotis ir liekamųjų įtempių dydis priklauso nuo dangos storio
Amorphous germanium oxide (GexOy:H) films, 0.2 μm – 1.2 μm thick, produced by plasma-assisted chemical vapor deposition from a mixture of tetramethylgermanium (TMGe) and oxygen (O2) in radio-frequency (13.56 MHz) glow discharge, were investigated. Highly transmitting (> 80 % at wavelength 300 nm – 800 nm) GexOy:H films grew at rate of approx. 0.8 nm/s. The film structure and morphology were determined by XPS, X-ray diffraction and atomic force microscopy. The thickness of the films was evaluated by ellipsometry. Optical interferometry was used, in turn, to measure the residual stress in the GexOy:H films. The correlation between the residual stress and chemical composition of the films was analyzed
Internet: http://www.ktu.lt/lt/mokslas/zurnalai/medz/medz0-96/02%20Electronic...(pp.07-10).pdf
http://www.ktu.lt/lt/mokslas/zurnalai/medz/medz0-96/02%20Electronic...(pp.07-10).pdf
Affiliation(s): Vytauto Didžiojo universitetas
Žemės ūkio akademija
Appears in Collections:Universiteto mokslo publikacijos / University Research Publications

Files in This Item:
marc.xml7.85 kBXMLView/Open

MARC21 XML metadata

Show full item record

Page view(s)

20
checked on Sep 13, 2019

Download(s)

2
checked on Sep 13, 2019

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.