Oksido storio įtaka krūvininkų pernešimui per M-D-P sandūrą

Abstract

Tyrimo tikslas yra nustatyti krūvininkų pernešimo mechanizmą Al-SiO2-n/Si struktūroje. Pirmajame skyriuje analizuojama literatūra apie pagrindinius teorinius modelius, nagrinėjančius krūvininkų pernešimą per barjerą. Antrajame skyriuje aprašome bandinių ruošimo technologiją, tyrimų metodus ir įrenginius, kurie buvo naudojami eksperimento metu. Trečiajame skyriuje analizuojame eksperimentinius duomenis. Trečiajame skyriuje yra pateiktos eksperimentinių duomenų atgalinės srovės priklausomybės nuo įtampos ir temperatūros tiriamose struktūrose ir palygintos su teoriniu elektrono tuneliavimo iš gilaus centro, dalyvaujant fononams, modeliu. Skyriaus pradžioje aptariamos eksperimentinių duomenų atgalinės srovės priklausomybės nuo įtampos ir temperatūros Al-SiO2-n/Si struktūrose. Šiose struktūrose stebima stipri atgalinės srovės priklausomybė nuo temperatūros esant žemoms įtampos vertėms. Eksperimentiniai duomenys palyginti su teorinėmis tuneliavimo W (F, T) tikimybėmis. Manome, kad srovė tekanti per barjerą yra proporcinga tuneliavimo tikimybėms ir kad nė vienas iš elektronų, tuneliuojančių į laidumo juostą, nėra išsklaidomas ar rekombinuoja. Gauta geras eksperimentinių duomenų sutapimas su teorininėmis tikimybėmis.

The aim of the research is to establish the mechanism of charge transport in Al-SiO2-n/Si structure. In Chapter One we analyze the existing papers on the research of the main theoretical models of charge transfer with the barrier are being presented. In Chapter Two we describe the technology of preparing samples, the research methods and the equipment which has been used for experiment. In Chapter Three we analyze the experimental data. In Chapter Three the experimental data on the dependence of the reverse current on volt¬age and temperature in the analyzed structures are presented and the obtained dependences are compared with a theoretical model of an electron-tunneling from a deep centers assisted by phonons. At the beginning of the chapter the experimental data on the dependence of current strength on the reverse volt¬age and temperature in Al-SiO2-n/Si structures are discussed. These structures are characterized by the reverse current having a strong dependence on temperature at low reverse voltage values. The experimental data are com¬pared with the theoretical W(F,T) probabilities. We assume that the current flowing through the barrier is proportional to the tunneling probability and that none of the electrons that tunnel from their energy level into conduction band are scattered, or recombined, before they leave the barrier region of the semiconductor. The experimental data are in good agreement with the theo¬retical probability.